比較平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以發(fā)現(xiàn)，超結(jié)型結(jié)構(gòu)實(shí)際是綜合了平面型...比較平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以發(fā)現(xiàn)，超結(jié)型結(jié)構(gòu)實(shí)際是綜合了平面型和溝槽型結(jié)構(gòu)兩者的特點(diǎn)，是在平面型結(jié)構(gòu)中開(kāi)一個(gè)低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平...
如下圖所示，平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當(dāng)耐壓提高時(shí)，漂移層會(huì)增...如下圖所示，平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當(dāng)耐壓提高時(shí)，漂移層會(huì)增厚，存在導(dǎo)通電阻增加的課題。而超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)是排列多個(gè)垂直P(pán)N結(jié)的結(jié)構(gòu)，可保持耐壓的...
當(dāng)輸入電壓Ui升高或負(fù)載變輕，引起輸出電壓Uo升高后，該電壓通過(guò)R2、RP、R3分壓...當(dāng)輸入電壓Ui升高或負(fù)載變輕，引起輸出電壓Uo升高后，該電壓通過(guò)R2、RP、R3分壓產(chǎn)生的取樣電壓升高，該電壓加到VT2的基極，由于VT2的發(fā)射極電位不變，所以VT2導(dǎo)通...
該電路使用IC LM338K作為電壓調(diào)節(jié)器，因此我們將獲得穩(wěn)定和穩(wěn)壓的輸出。穩(wěn)壓器...該電路使用IC LM338K作為電壓調(diào)節(jié)器，因此我們將獲得穩(wěn)定和穩(wěn)壓的輸出。穩(wěn)壓器 IC LM338K 提供最大 5A 的輸出電流，以及 1.2 至 32V 的電壓，它還具有集成的熱和短...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是控制扭矩、位置輸出和電機(jī)速度的電子設(shè)備。驅(qū)動(dòng)器可以對(duì)進(jìn)入電機(jī)的...電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是控制扭矩、位置輸出和電機(jī)速度的電子設(shè)備。驅(qū)動(dòng)器可以對(duì)進(jìn)入電機(jī)的負(fù)載電流進(jìn)行普通開(kāi)關(guān)或者PWM控制，從而實(shí)現(xiàn)想要的電機(jī)工作狀態(tài)。
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