從圖5可以發現，超結功率MOSFET輸出電容的遲滯效應，與其漏極源極所加電壓VDS直...從圖5可以發現，超結功率MOSFET輸出電容的遲滯效應，與其漏極源極所加電壓VDS直接相關，這種效應大多發生在低壓階段，這也表明，超結功率MOSFET輸出電容的遲滯效應...
理論上，ZVS軟開關過程中，COSS電容充放電，基本上沒有損耗。實際應用中卻發現...理論上，ZVS軟開關過程中，COSS電容充放電，基本上沒有損耗。實際應用中卻發現，功率MOSFET在ZVS軟開關過程中，COSS電容充放電過程存在一定的額外損耗，無法恢復存...
1. 勢壘電容：功率半導體中，當N型和P型半導體結合后，由于濃度差導致N型半導體...1. 勢壘電容：功率半導體中，當N型和P型半導體結合后，由于濃度差導致N型半導體的電子會有部分擴散到P型半導體的空穴中，因此在結合面處的兩側會形成空間電荷區（...
單位面積容值 相同的單位面積容值，電容值 MIM < MOM，MIM 約是1/3 MOS電容值...單位面積容值 相同的單位面積容值，電容值 MIM < MOM，MIM 約是1/3 MOS電容值。
MOS 電容：兩端結構的mos管，電容值不精確，可以實現隨控制電壓變化而變化的容...MOS 電容：兩端結構的mos管，電容值不精確，可以實現隨控制電壓變化而變化的容值，上下極板接法不可互換。
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