MOS管的結(jié)構(gòu)核心是“絕緣層隔離柵極與溝道”，具體如下（以N溝道MOS管為例）：...MOS管的結(jié)構(gòu)核心是“絕緣層隔離柵極與溝道”，具體如下（以N溝道MOS管為例）： 襯底：通常是P型半導體（也有N型襯底）； 絕緣層：在襯底表面生長一層極薄的氧化...
KCB3310A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流90A，采用先進的SGT技術(shù)制造，?極...KCB3310A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流90A，采用先進的SGT技術(shù)制造，?極低導通電阻RDS（導通）僅為5mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，提高效率；...
從R、S、T端輸入的三相交流電，經(jīng)三相整流橋（由二極管D1～D6構(gòu)成）整流成直流...從R、S、T端輸入的三相交流電，經(jīng)三相整流橋（由二極管D1～D6構(gòu)成）整流成直流電，電壓為UD。電容器C1和C2是濾波電容器。6個IGBT管（絕緣柵雙極性晶體管）V1～V6構(gòu)...
電壓跟隨器（單位增益放大器、緩沖放大器和隔離放大器）是一種電壓增益為 1 的...電壓跟隨器（單位增益放大器、緩沖放大器和隔離放大器）是一種電壓增益為 1 的運算放大器電路。這意味著運算放大器不會對信號進行任何放大。 稱之為電壓跟隨器，...
KNP43100A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓1000V，漏極電流4A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.2...KNP43100A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓1000V，漏極電流4A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.2Ω，低柵極電荷最小化開關(guān)損耗，在承受高電壓和高電流方面表現(xiàn)出色；低反向傳輸電容...
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