IGBT是由一個N溝道的MOS管FET和一個PNP型GTR組成，以GTR為主導器件，MOS管為驅...IGBT是由一個N溝道的MOS管FET和一個PNP型GTR組成，以GTR為主導器件，MOS管為驅動器件。GiantTransistor-GTR電力晶體管。這也導致其性能上與MOS管有所差異。注意區...
關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄...關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關管能快速關斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅動電阻上并聯一...
保護作用：當流過SD的電流過大時可以分流一部分；對于高速開關的場合，體二極管...保護作用：當流過SD的電流過大時可以分流一部分；對于高速開關的場合，體二極管由于開通速度過慢，導致無法迅速開通，電流無法通過，進而損壞MOS，因此并聯的二極...
勢壘高度的計算公式為：qVD=Wm-Ws，其中q為電子電荷量，V為反向偏置電壓，D為勢...勢壘高度的計算公式為：qVD=Wm-Ws，其中q為電子電荷量，V為反向偏置電壓，D為勢壘寬度，Wm為多數載流子能量，Ws為少數載流子能量。
電容是衡量電路中儲存電荷能力的物理量，常用的單位有法拉（F），較小的單位有...電容是衡量電路中儲存電荷能力的物理量，常用的單位有法拉（F），較小的單位有毫法拉（mF），微法拉（μF）和皮法拉（pF）。
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