碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高...碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。碳化硅器件有更耐高壓，在開關(guān)頻率、散熱能力...
在環(huán)路設(shè)計(jì)時(shí)，Loop1、2、3的環(huán)路面積要盡量小，在Loop1中，走線還應(yīng)盡量粗以優(yōu)...在環(huán)路設(shè)計(jì)時(shí)，Loop1、2、3的環(huán)路面積要盡量小，在Loop1中，走線還應(yīng)盡量粗以優(yōu)化效率，在Loop3中，VDD電容C3應(yīng)緊貼芯片。 在GND走線設(shè)計(jì)時(shí)，輔助繞組應(yīng)直接連接...
設(shè)計(jì)補(bǔ)償部分，先確定目標(biāo)帶寬，然后再設(shè)計(jì)補(bǔ)償部分，使在目標(biāo)帶寬時(shí)的相位裕量...設(shè)計(jì)補(bǔ)償部分，先確定目標(biāo)帶寬，然后再設(shè)計(jì)補(bǔ)償部分，使在目標(biāo)帶寬時(shí)的相位裕量大于45°，幅值裕度不管用上面哪種補(bǔ)償方式都是自動(dòng)滿足的，所以設(shè)計(jì)時(shí)一般不用特別...
左圖為MOS管驅(qū)動(dòng)電路相關(guān)波形的示意圖（電流不連續(xù)模式DCM），其中Uin對(duì)應(yīng)上圖...左圖為MOS管驅(qū)動(dòng)電路相關(guān)波形的示意圖（電流不連續(xù)模式DCM），其中Uin對(duì)應(yīng)上圖的V1，Ugs對(duì)應(yīng)上圖A點(diǎn)電壓波形。右圖是某反激開關(guān)電源實(shí)測(cè)波形，僅體現(xiàn)了初級(jí)繞組電...
DCM和CCM的判斷，并非只是單純按照初級(jí)電流是否連續(xù)來進(jìn)行判斷，而是要根據(jù)初，...DCM和CCM的判斷，并非只是單純按照初級(jí)電流是否連續(xù)來進(jìn)行判斷，而是要根據(jù)初，次級(jí)的電流合成來判斷的。只要初，次級(jí)電流不是同時(shí)為零，那就是CCM模式。二如果存...
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