當導體兩端電壓一定時，流過導體電流與導體電阻成反比。電流與電壓、電阻間的關(guān)...當導體兩端電壓一定時，流過導體電流與導體電阻成反比。電流與電壓、電阻間的關(guān)系公式為：I=U/R，其中I為電流，U為電壓，R為電阻。由上述公式可知，當電壓一定時，...
3n150場效應管代換型號KNL42150A漏源擊穿電壓1500V，漏極電流3A，導通電阻RDS(...3n150場效應管代換型號KNL42150A漏源擊穿電壓1500V，漏極電流3A，導通電阻RDS(on)=5.5Ω，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，減少開關(guān)損耗；具有高開關(guān)頻率、低...
下圖為反相器的結(jié)構(gòu)示意圖，由一個PMOS和一個NMOS拼接而成； 當v=1時，T1截止...下圖為反相器的結(jié)構(gòu)示意圖，由一個PMOS和一個NMOS拼接而成； 當v=1時，T1截止，T2導通，vo=0; 當v=0時，T1導通，T2截止，vo=1;
當PWM為1時，Q1實現(xiàn)導通，C端的電壓為低，接著Q2的B端電壓也為低，Q2導通； 這...當PWM為1時，Q1實現(xiàn)導通，C端的電壓為低，接著Q2的B端電壓也為低，Q2導通； 這時Q2的E端電壓為14V，經(jīng)過Q2、D2、R4以后MOS管G端大概為12V，Q管（MOS）導通。在這...
逆變器專用MOS管KIA2906AP漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(on...逆變器專用MOS管KIA2906AP漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(on)=5.5mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，減少開關(guān)損耗；具有高雪崩耐量，穩(wěn)...
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